因此，小红选研制出灵敏度高、选择性强的VOC挥发性气体传感器，对先进的环境监测和医学诊断技术具有越来越重要的意义。

书已X首(a-b)含VS和V2S缺陷的1H-MoS2层的原子级分辨率STEM图。温度低于125K时，代知荧光谱线中1.75eV附近处出现一个新的缺陷态发射峰（XD），其强度为A激子发射峰（XA）的2倍（图2c-d）。

小红选该工为自旋-谷自由度的操控提供了新的研究思路。值得强调的是，书已X首dx2-y2和dxy轨道对缺陷态能级和价带的贡献不同，会增强缺陷态谷塞曼劈裂。该工作表明可借助缺陷态调控材料的带隙和自旋-谷自由度，代知为谷电子学器件的设计及应用提供了新思路。

二维材料中的缺陷态能够捕获自由激子形成束缚态激子，小红选影响材料的物理特性。因此，书已X首缺陷态有效电子质量及dx2-y2和dxy轨道磁矩的差异共同导致了缺陷态谷塞曼劈裂的增强（图5c）。

同时，代知缺陷态电子有效质量增加了7倍，增强了谷磁矩，从而再次增强缺陷态谷塞曼劈裂。

目前，小红选已有报道从理论上预测了单层TMDs中硫空位缺陷态存在谷自旋特性，通过磁场可打破其谷简并调控谷自由度。1995年获中国驻日大使馆教育处优秀留学人员称号，书已X首同年获国家杰出青年科学基金资助。

在超双亲/超双疏功能材料的制备、代知表征和性质研究等方面，代知发明了模板法、相分离法、自组装法、电纺丝法等多种有实用价值的超疏水性界面材料的制备方法。1998年获得日本文部省颁发的青年特别奖励基金，小红选同年入选中国科学院百人计划。

此外，书已X首还多次获中科院优秀导师奖。代知该工作有望开拓石墨烯市场。